Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores

Universidad de Granada

Revistas Internacionales

Listado no actualizado

Título: “An in-depth noise model for giant magnetoresistance current sensors for circuit design and complementary metal–oxide–semiconductor integration”
Autores: A. Roldán, J. B. Roldán, C. Reig, S. Cardoso, F. Cardoso, R. Ferreira and P. P. Freitas
Congreso:. Journal of Applied Physics
ISSN:: 0021-8979
Volumen: 115, 17E514
Lugar y fecha: Febrero (2014)
DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4865771

Título: Research Group SNADS
Tipo de actividad: Difusion publicitaria del grupo de investigación SNADS
Revista: Revista de la Asociación Española de Ensayos No Destructivos (AEND)
ISSN: 1888-9166
Volumen: 65, Página: 51
Fecha: 40 Trimestre 2013

Título: “A comprehensive characterization of the threshold voltage extraction in MOSFETs transistors based on smoothing splines”
Autores: M.J. Ibáñez, J.B. Roldán, A.M. Roldán, R. Yáñez
Revista:. Mathematics and Computers in Simulation, in press
ISSN: 0378-4754
Lugar y fecha: Agosto 2013
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.matcom.2013.04.024

Título: “In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric dgmosfets”
Autores: J.B. Roldán, B. González, B. Iñiguez, A.M. Roldán, A. Lázaro, A. Cerdeira
Revista:. Solid-State Electronics
Volume: 99
ISSN: 0038-1101
Lugar y fecha: Holanda, 2011

Título: “Vibration test in CFRP plates for damage detection via non-parametric signal analysis”
Autores: Pablo Moreno García, Enrique Castro Rodríguez, Liliana Minelly Romo Melo, Antolino Gallego Molina, Andrés Roldán Aranda
Congreso:. Paper to Special Issue of Shock and Vibration from ICEDyn 2011, Shock and Vibration Volume 19, issue no. 5.
Lugar y fecha: Portugal, 2011

Título: " A DC behavioral electrical model for quasi-linear spin-valve devices including thermal effects for circuit
simulation "
Autores: Andrés M. Roldán, Juan B. Roldán, Càndid Reig, M.-D. Cubells-Beltrán, Diego Ramírez, Susana Cardoso, and Paulo P. Freitas
Revista:Microelectronic Journal , vol 42, pp. 365–370.
Fecha: 2011.

Autores: A. Roldán, C. Reig, M.D. Cubells-Beltrán, J.B. Roldán, D. Ramírez, S. Cardoso, P.P. Freitas
Título: "Analytical compact modeling of GMR based current sensors: application to power measurement at the IC level"
Revista: Solid State Electronics, , vol 54, pp. 1606-1612
Fecha: 2010.

Título: Characterization of electron transport at high fields in silicon-on-insulator devices: a monte carlo study
Autores: JUAN B. ROLDAN ARANDA; FRANCISCO J GAMIZ PEREZ; ANDRÉS MARÍA ROLDÁN ARANDA; NOEL RODRÍGUEZ SANTIAGO
Revista: Semiconductor Science Technology
Clave: 1 Volumen: 21 Páginas, inicial: 81 final: 86 Fecha: 2006
Lugar de publicación: USA

Título: Strained-Si on Si1-xGex MOSFET mobility model
Autores: J.B. Roldán, F. Gámiz, P. Cartujo-Cassinello, P. Cartujo, J.E. Carceller and A. Roldán
Ref. Revista : IEEE Transactions on Electron Devices
Clave:    Volumen: 50 Páginas, inicial: 1408 final: 1411 Fecha: Mayo 2003
Lugar de publicación: USA

Año 2000:

Publicación: Intelligentes Codeschloss
Revista: Elektronik & computertechnik
Lugar: Alemania, Fecha: Julio
ISSN:0932/5468 - Número: 354

    Publicación: Serrure Intelligente
    Revista: Eleectronique ET micro-informatique
    Lugar: Francia, Fecha: Julio
    ISSN:0181/7450 - Número: 264

    Publicación: Intelligent Deurslot
    Revista: Elektuur.
    Lugar: Holanda, Fecha: Julio
    ISSN:0268/4519 - Número: 440

    Publicación: Intelligent Door Lock
    Revista: Elektor Electronics.
    Lugar: England, Fecha: Julio
    ISSN:0268/4519 - Número: 289

Año 1999:














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